SiC-

SiC

실리콘 카바이드는 C와 Si 원소가 1:1 비율로 형성한 그룹 IV-IV 복합 반도체 물질로 경도는 다이아몬드 다음으로 높다. 발전 가능성이 큰 반도체 소재이며, 경도가 높고 부서지기 쉬운 소재이기도 합니다. 준비 과정이 복잡하고 처리가 어렵습니다. 실리콘 카바이드는 넓은 밴드갭 반도체 소재에 속합니다. 실리콘 카바이드는 기존 소재에 비해 물리적 특성이 우수해 이산 장치와 모듈을 분리하는 데 도움이 되며, 완벽한 시스템까지 완성해 부피와 무게를...